Tutti gli occhi sono puntati sul chip Qualcomm top di gamma di prossima generazione, lo Snapdragon 8 Elite 2, ma è probabile che al Summit di questo settembre vedremo arrivare anche il chip appena un gradino sotto, che a rigor di logica dovrebbe chiamarsi Snapdragon 8s Gen 5. Ed è probabile che sarà una gran bella scelta per la fascia “quasi top”, per così dire: secondo indiscrezioni provenienti dalla Cina, potrebbe avere prestazioni sostanzialmente comparabili all’attuale flagship Snapdragon 8 Elite.
Le anticipazioni provengono dal solito Digital Chat Station, uno dei leaker più prolifici e attivi dell’intera scena, tramite il proprio account Weibo ufficiale. “DCS” dice che il chip sarà realizzato su processo produttivo TSMC di classe 3 nm, nello specifico N3P, quindi l’ultima evoluzione. La fonte dice che la CPU del SoC sarà basata sugli stessi core custom Oryon sviluppati dalla sussidiaria Nuvia che abbiamo visto sia su S8E sia su Snapdragon X Elite/Plus, rivolti al mondo Windows ARM.
Secondo la fonte il nuovo chip includerà diverse tecnologie e architetture GPU che vedremo anche sullo Snapdragon 8 Elite 2, suggerendo che l’uno potrebbe essere la versione “binned” dell’altro. Questo termine è direttamente correlato a come vengono prodotti i semiconduttori di questi tempi: è molto raro che un chip emerga dai macchinari assolutamente perfetto, con tutti i transistor esenti da difetti o sbavature (è importante ricordare che le dimensioni in gioco sono estremamente piccole), quindi si stabiliscono dei limiti e delle soglie per uniformare le prestazioni il più possibile tra un chip e l’altro. Per esempio potrebbe essere che il chip “top” ha solo il 97% del die attivo, e anche se un chip esce con meno difetti di così una parte viene comunque disabilitata anche se buona. Se invece un chip esce con più del 3% dei transistor difettosi si passa allo scalino inferiore.
Questo implicherebbe però che i due chip siano realizzati sullo stesso processo produttivo, per ovvie ragioni. Per S8E2, però, la questione potrebbe essere un po’ più complicata. Il chip potrebbe essere ricordato come uno dei rarissimi casi, se non l’unico, di semiconduttore prodotto su due classi di processo diverso a seconda della fonderia - 3 nm nel caso di TSMC, 2 nm nel caso di Samsung.
Sappiamo che Samsung ha avuto diverse difficoltà nell’ultimo periodo, soprattutto legato alla tecnologia EUV (Extreme Ultraviolet), ma sembra in procinto di rimettersi in carreggiata con la classe 2 nm. Per ora tutto rimane molto in forse - non possiamo far altro che aspettare ulteriori delucidazioni, sperando magari nell’apporto di altri insider notoriamente molto ben informati proprio sui chip. In ogni caso, tempo ce n’è ancora diverso - i primi device con Snapdragon 8s Gen 5 non dovrebbero arrivare sul mercato prima di fine anno.
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